0.5μm 2P2M 20-60V BiCMOS技術是FMIC自主開發的低導通電阻的BCD工藝平臺，其工藝具有典型性，與傳統CMOS工藝相兼容，驅動能力強，成本較低，附加值高. 平臺產品可以廣泛的應用于電源管理、LED驅動、汽車電子等高端消費電子領域。
工藝特性
? N 型外延，N型埋層工藝
? 雙多晶硅柵，多晶硅一用作高壓MOS的柵極，Poly2用作低壓MOS的柵極
? PN結和局部氧化隔離
? 氮化硅側墻工藝
? 接觸孔和通孔采用鎢塞工藝
? 可選頂層厚鋁
? 標準 40V/5V BCD 采用20層光罩，20層光刻層
典型應用? 驅動電路
? 電源管理電路
? D級放大器
? 高壓模擬產品